MT41K256M16HA-125:E vs K4B4G1646D-BCK00 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של MT41K256M16HA-125:E מאת Micron Technology ו K4B4G1646D-BCK00 מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125:E ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | MT41K256M16HA-125:E | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| מותג | Micron Technology | Samsung Electronics |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| השהיית CAS | 13.75 ns | 11 (at 1600 Mbps) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| מארז | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| מספר פינים | 96 | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | 0°C to +95°C (TC) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| רוחב אפיק נתונים | 16 bits | — |
| Logic Family | CMOS | — |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| קצב נתונים | — | 1600 Mbps/pin |
| מתח אספקה | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| טמפרטורת פעולה | — | 0°C to 95°C (Tcase) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| RoHS | — | Compliant |
| נטול הלוגנים | — | Yes |