MT41K256M16HA-125:E vs K4B4G1646D-BCK00 比較
詳細並排比較 MT41K256M16HA-125:E 由 Micron Technology 與 K4B4G1646D-BCK00 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
規格比較
| 參數 | MT41K256M16HA-125:E | K4B4G1646D-BCK00 |
|---|---|---|
| 品牌 | Micron Technology | Samsung Electronics |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| 組織 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| CAS 延遲 | 13.75 ns | 11 (at 1600 Mbps) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| 封裝 | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| 腳位數 | 96 | — |
| 安裝類型 | Surface Mount | — |
| 工作溫度範圍 | 0°C to +95°C (TC) | — |
| RoHS 狀態 | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| 資料匯流排寬度 | 16 bits | — |
| Logic Family | CMOS | — |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (800 MHz) |
| 資料速率 | — | 1600 Mbps/pin |
| 供應電壓 | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| I/O Voltage | — | 1.35V |
| 工作溫度 | — | 0°C to 95°C (Tcase) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| RoHS | — | Compliant |
| 無鹵素 | — | Yes |