MT41K256M16LY-107 vs K4B4G1646E-BYMA তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা MT41K256M16LY-107 নির্দিষ্ট Micron Technology ও K4B4G1646E-BYMA নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Micron Technology
MT41K256M16LY-107 MT41K256M16LY-107 - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107 - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107 ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার MT41K256M16LY-107 K4B4G1646E-BYMA
ব্র্যান্ড Micron Technology Samsung Electronics
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
ইউনিট মূল্য (USD) — $14.32
মেমরি টাইপ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
মেমরি সাইজ 4Gbit (256M x 16) —
ডেটা বাস প্রস্থ 16 bit —
Clock Frequency 933 MHz 933 MHz
CAS লেটেন্সি 20 ns [DATA_NEEDED: CAS Latency]
সাপ্লাই ভোল্টেজ 1.35V / 1.5V 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
প্যাকেজ 96-FBGA (7.5x13.5 mm) FBGA-96
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রা [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0°C to +95°C
ডেটা রেট 1866 MT/s 1866 Mbps/pin
Burst Length 8, 4 [DATA_NEEDED: Burst Length]
পিনের সংখ্যা 96 96
RoHS স্ট্যাটাস Compliant —
REACH Status Compliant —
Memory Format DRAM —
Density — 4 Gb
সংগঠন — 256M x 16
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
RoHS — Compliant

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট