MT41K256M16LY-107 vs K4B4G1646E-BYMA Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng MT41K256M16LY-107 sa pamamagitan ng Micron Technology at K4B4G1646E-BYMA sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Micron Technology
MT41K256M16LY-107 - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16LY-107 ✓ Nakahanda
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | MT41K256M16LY-107 | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Brand | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Presyo ng Yunit (USD) | — | $14.32 |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Laki ng Memory | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Width ng Data Bus | 16 bit | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | 933 MHz |
| Latensya ng CAS | 20 ns | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35V / 1.5V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Packhaging | 96-FBGA (7.5x13.5 mm) | FBGA-96 |
| Uri ng Pagpapasok | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature na Operasyon | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to +95°C |
| Rate ng Data | 1866 MT/s | 1866 Mbps/pin |
| Burst Length | 8, 4 | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Bilang ng Pins | 96 | 96 |
| Tindminan RoHS | Compliant | — |
| REACH Status | Compliant | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Organisasyon | — | 256M x 16 |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| RoHS | — | Compliant |