NT5AD512M16B4-HR vs K4A8G165WB-BCWE তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা NT5AD512M16B4-HR নির্দিষ্ট Nanya Technology ও K4A8G165WB-BCWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | NT5AD512M16B4-HR | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| স্টক স্ট্যাটাস | — | In Stock |
| ইউনিট মূল্য (USD) | — | $6.25 |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | — |
| সংগঠন | 512M x 16 | — |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2V | 1.2 V |
| প্যাকেজ | 96-ball TFBGA | 96FBGA |
| Temperature Range | 0°C to +95°C | — |
| ডেটা রেট | 3200 Mbps | 3200 Mbps/pin |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| মেমরি সাইজ | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Access Time | — | 19 ns |
| ইন্টারফেস | — | Parallel |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | 0C to +85C |
| মাউন্টিং টাইপ | — | Surface Mount |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM B-die |
| Prefetch | — | 8n |
| Refresh | — | Self-refresh supported |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] |
| MSL লেভেল | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |