NT5AD512M16B4-HR vs K4A8G165WB-BCWE So sánh
So sánh chi tiết song song của NT5AD512M16B4-HR bằng Nanya Technology và K4A8G165WB-BCWE bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Nanya Technology
NT5AD512M16B4-HR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 1.2V | Nanya
NT5AD512M16B4-HR ✓ Hoạt độngSamsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 3200Mbps 96FBGA DRAM | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | NT5AD512M16B4-HR | K4A8G165WB-BCWE |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Trạng thái kho | — | In Stock |
| Giá đơn vị (USD) | — | $6,25 |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | — |
| Tổ chức | 512M x 16 | — |
| Điện áp cung cấp | 1.2V | 1.2 V |
| Hộp | 96-ball TFBGA | 96FBGA |
| Temperature Range | 0°C to +95°C | — |
| Tốc độ dữ liệu | 3200 Mbps | 3200 Mbps/pin |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Kích thước bộ nhớ | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Access Time | — | 19 ns |
| Giao diện | — | Parallel |
| Nhiệt độ hoạt động | — | 0C to +85C |
| Kiểu lắp đặt | — | Surface Mount |
| Memory Format | — | DRAM (volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM B-die |
| Prefetch | — | 8n |
| Refresh | — | Self-refresh supported |
| Termination | — | On-die termination (ODT) |
| Trạng thái RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] |
| Cấp MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |