AS4C256M16D3L-12BCN vs K4B4G1646D-BCK0 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von AS4C256M16D3L-12BCN von Alliance Memory und K4B4G1646D-BCK0 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | AS4C256M16D3L-12BCN | K4B4G1646D-BCK0 |
|---|---|---|
| Marke | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,00 | $2,30 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 4 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Datenbusbreite | 16 bit | — |
| Maximale Taktfrequenz | 800 MHz | — |
| Datenrate | 1600 Mbps | 1600 Mbps per pin |
| CAS-Latenz | 20 ns | 11 (programmable) |
| Versorgungsspannung | 1.35 V | — |
| Gehäuse | 96-FBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Montagestil | SMD/SMT | — |
| Betriebstemperaturbereich | 0C to +95C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Halogenfrei | Yes | — |
| Schnittstellentyp | Parallel | — |
| Anzahl der Pins | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| Betriebstemperatur | — | 0°C to 95°C (Tc) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Halogenfrei | — | Yes |