AS4C256M16D3L-12BCN vs K4B4G1646D-BCK0 비교
다음의 상세 나란히 비교: AS4C256M16D3L-12BCN 제조: Alliance Memory 및 K4B4G1646D-BCK0 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | AS4C256M16D3L-12BCN | K4B4G1646D-BCK0 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.00 | $2.30 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 데이터 버스 폭 | 16 bit | — |
| 최대 클록 주파수 | 800 MHz | — |
| 데이터 속도 | 1600 Mbps | 1600 Mbps per pin |
| CAS 레이턴시 | 20 ns | 11 (programmable) |
| 공급 전압 | 1.35 V | — |
| 패키지 | 96-FBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| 장착 스타일 | SMD/SMT | — |
| 동작 온도 범위 | 0C to +95C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| 인터페이스 유형 | Parallel | — |
| 핀 수 | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| 동작 온도 | — | 0°C to 95°C (Tc) |
| Lead-Free | — | Yes |
| 할로겐 프리 | — | Yes |