AS4C256M16D3L-12BCN vs K4B4G1646D-BCK0 对比
详细并排对比 AS4C256M16D3L-12BCN 出自 Alliance Memory 和 K4B4G1646D-BCK0 出自 Samsung Electronics。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况，以确定最适合您设计需求的元器件。
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ 量产中规格对比
| 参数 | AS4C256M16D3L-12BCN | K4B4G1646D-BCK0 |
|---|---|---|
| 品牌 | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| 分类 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命周期状态 | 有效 | 有效 |
| 库存状态 | 有库存 | 有库存 |
| 单价（USD） | $6.00 | $2.30 |
| 存储器类型 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 存储容量 | 4 Gbit | — |
| 存储组织 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 数据总线宽度 | 16 bit | — |
| 最大时钟频率 | 800 MHz | — |
| 数据速率 | 1600 Mbps | 1600 Mbps per pin |
| CAS 延迟 | 20 ns | 11 (programmable) |
| 电源电压 | 1.35 V | — |
| 封装 | 96-FBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| 安装方式 | SMD/SMT | — |
| 工作温度范围 | 0C to +95C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| 无卤 | Yes | — |
| 接口类型 | Parallel | — |
| 引脚数 | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| 工作温度 | — | 0°C to 95°C (Tc) |
| Lead-Free | — | Yes |
| 无卤 | — | Yes |