AS4C256M16D3L-12BCN vs K4B4G1646D-BCK0 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de AS4C256M16D3L-12BCN par Alliance Memory et K4B4G1646D-BCK0 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | AS4C256M16D3L-12BCN | K4B4G1646D-BCK0 |
|---|---|---|
| Marque | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,00 | $2,30 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Largeur du bus de données | 16 bit | — |
| Fréquence d'horloge maximale | 800 MHz | — |
| Débit de données | 1600 Mbps | 1600 Mbps per pin |
| Latence CAS | 20 ns | 11 (programmable) |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | — |
| Boîtier | 96-FBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Style de montage | SMD/SMT | — |
| Plage de température de fonctionnement | 0C to +95C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Sans halogène | Yes | — |
| Type d'interface | Parallel | — |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to 95°C (Tc) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |