AS4C256M16D3L-12BCN vs K4B4G1646D-BCK0 Comparación
Comparación detallada lado a lado de AS4C256M16D3L-12BCN por Alliance Memory y K4B4G1646D-BCK0 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | AS4C256M16D3L-12BCN | K4B4G1646D-BCK0 |
|---|---|---|
| Marca | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,00 | $2,30 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4 Gbit | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Ancho del bus de datos | 16 bit | — |
| Frecuencia de reloj máxima | 800 MHz | — |
| Velocidad de datos | 1600 Mbps | 1600 Mbps per pin |
| Latencia CAS | 20 ns | 11 (programmable) |
| Tensión de alimentación | 1.35 V | — |
| Encapsulado | 96-FBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Estilo de montaje | SMD/SMT | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | 0C to +95C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Tipo de interfaz | Parallel | — |
| Número de pines | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| Temperatura de funcionamiento | — | 0°C to 95°C (Tc) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |