AS4C256M16D3L-12BCN vs K4B4G1646D-BCK0 比較
詳細な並列比較: AS4C256M16D3L-12BCN メーカー: Alliance Memory および K4B4G1646D-BCK0 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | AS4C256M16D3L-12BCN | K4B4G1646D-BCK0 |
|---|---|---|
| ブランド | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $6.00 | $2.30 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| メモリサイズ | 4 Gbit | — |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| データバス幅 | 16 bit | — |
| 最大クロック周波数 | 800 MHz | — |
| データレート | 1600 Mbps | 1600 Mbps per pin |
| CASレイテンシ | 20 ns | 11 (programmable) |
| 電源電圧 | 1.35 V | — |
| パッケージ | 96-FBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| 実装スタイル | SMD/SMT | — |
| 動作温度範囲 | 0C to +95C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| ハロゲンフリー | Yes | — |
| インターフェースタイプ | Parallel | — |
| ピン数 | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| 動作温度 | — | 0°C to 95°C (Tc) |
| Lead-Free | — | Yes |
| ハロゲンフリー | — | Yes |