AS4C256M16D3L-12BCN vs K4B4G1646D-BCK0 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок AS4C256M16D3L-12BCN от Alliance Memory и K4B4G1646D-BCK0 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | AS4C256M16D3L-12BCN | K4B4G1646D-BCK0 |
|---|---|---|
| Бренд | Alliance Memory | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $6,00 | $2,30 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Размер памяти | 4 Gbit | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Разрядность шины данных | 16 bit | — |
| Максимальная тактовая частота | 800 MHz | — |
| Скорость передачи данных | 1600 Mbps | 1600 Mbps per pin |
| Задержка CAS | 20 ns | 11 (programmable) |
| Напряжение питания | 1.35 V | — |
| Корпус | 96-FBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Способ монтажа | SMD/SMT | — |
| Диапазон рабочих температур | 0C to +95C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Без галогенов | Yes | — |
| Тип интерфейса | Parallel | — |
| Количество выводов | 96 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V (1.283V to 1.45V) |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| Рабочая температура | — | 0°C to 95°C (Tc) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Без галогенов | — | Yes |