H5AN8G6NDJR-XNC vs AS4C512M16D4-75BIN Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NDJR-XNC von SK hynix und AS4C512M16D4-75BIN von Alliance Memory. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | H5AN8G6NDJR-XNC | AS4C512M16D4-75BIN |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | Alliance Memory |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $55,68 | $8,99 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gb | 8 Gbit |
| Memory Organization | 512M x16 | 512M x 16 |
| Datenrate | 3200 Mbps | 2666 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (max 1.26 V) | — |
| Gehäuse | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 96-FBGA (7.5x13) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Input/Output Type | COMMON | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Halogenfrei | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Clock Frequency | — | 1.333 GHz |
| Access Time | — | 18 ns |
| Write Cycle Time | — | 15 ns |
| Versorgungsspannung | — | 1.2 V |
| Betriebstemperatur | — | -40°C to +95°C |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Schnittstelle | — | POD |
| Anzahl der Pins | — | 96 |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| Eigenschaften | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration |