H5AN8G6NDJR-XNC vs AS4C512M16D4-75BIN 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G6NDJR-XNC 제조: SK hynix 및 AS4C512M16D4-75BIN 제조: Alliance Memory. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | H5AN8G6NDJR-XNC | AS4C512M16D4-75BIN |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | Alliance Memory |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $55.68 | $8.99 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 8 Gb | 8 Gbit |
| Memory Organization | 512M x16 | 512M x 16 |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps | 2666 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (max 1.26 V) | — |
| 패키지 | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 96-FBGA (7.5x13) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Input/Output Type | COMMON | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Clock Frequency | — | 1.333 GHz |
| Access Time | — | 18 ns |
| Write Cycle Time | — | 15 ns |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| 동작 온도 | — | -40°C to +95°C |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| 인터페이스 | — | POD |
| 핀 수 | — | 96 |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| 특징 | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration |