H5AN8G6NDJR-XNC vs AS4C512M16D4-75BIN Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NDJR-XNC par SK hynix et AS4C512M16D4-75BIN par Alliance Memory. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN - 8Gbit DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4-75BIN ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G6NDJR-XNC | AS4C512M16D4-75BIN |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Alliance Memory |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $55,68 | $8,99 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gb | 8 Gbit |
| Memory Organization | 512M x16 | 512M x 16 |
| Débit de données | 3200 Mbps | 2666 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (max 1.26 V) | — |
| Boîtier | FBGA-96 (13x7.5 mm) | 96-FBGA (7.5x13) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Input/Output Type | COMMON | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Clock Frequency | — | 1.333 GHz |
| Access Time | — | 18 ns |
| Write Cycle Time | — | 15 ns |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Température de fonctionnement | — | -40°C to +95°C |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Interface | — | POD |
| Nombre de broches | — | 96 |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Caractéristiques | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, output enable, CRC, data mask, write leveling, dynamic ODT, ZQ calibration |