H5AN8G8NCJR-RDC vs K4A8G085WC-BCRC Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G8NCJR-RDC von SK hynix und K4A8G085WC-BCRC von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | H5AN8G8NCJR-RDC | K4A8G085WC-BCRC |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | DRAM |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,70 | $4,30 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb (1 GB) | 8 Gbit |
| Speicherorganisation | x8 | 1G x 8 |
| Datenrate | up to 2666 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Versorgungsspannung | 1.2 V (VDD) | 1.2 V |
| Schnittstelle | DDR4 (JEDEC standard) | — |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| Gehäuse | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (TFBGA) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] | 0C to +95C |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] | — |
| Generation | C-die family (NCJR) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Halogenfrei | Yes | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Terminal Pitch | — | 0.8 mm |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Refresh | — | Auto/Self refresh |