H5AN8G8NCJR-RDC vs K4A8G085WC-BCRC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G8NCJR-RDC por SK hynix y K4A8G085WC-BCRC por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G8NCJR-RDC | K4A8G085WC-BCRC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | DRAM |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,70 | $4,30 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb (1 GB) | 8 Gbit |
| Organización de memoria | x8 | 1G x 8 |
| Velocidad de datos | up to 2666 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Tensión de alimentación | 1.2 V (VDD) | 1.2 V |
| Interfaz | DDR4 (JEDEC standard) | — |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| Encapsulado | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (TFBGA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] | 0C to +95C |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] | — |
| Generation | C-die family (NCJR) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Terminal Pitch | — | 0.8 mm |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Refresh | — | Auto/Self refresh |