H5AN8G8NCJR-RDC vs K4A8G085WC-BCRC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G8NCJR-RDC 제조: SK hynix 및 K4A8G085WC-BCRC 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN8G8NCJR-RDC | K4A8G085WC-BCRC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.70 | $4.30 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb (1 GB) | 8 Gbit |
| 메모리 구성 | x8 | 1G x 8 |
| 데이터 속도 | up to 2666 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| 공급 전압 | 1.2 V (VDD) | 1.2 V |
| 인터페이스 | DDR4 (JEDEC standard) | — |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| 패키지 | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (TFBGA) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] | 0C to +95C |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] | — |
| Generation | C-die family (NCJR) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Terminal Pitch | — | 0.8 mm |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Refresh | — | Auto/Self refresh |