H5AN8G8NCJR-RDC vs K4A8G085WC-BCRC Comparação
Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G8NCJR-RDC por SK hynix e K4A8G085WC-BCRC por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | H5AN8G8NCJR-RDC | K4A8G085WC-BCRC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | DRAM |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $2,70 | $4,30 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb (1 GB) | 8 Gbit |
| Organização da memória | x8 | 1G x 8 |
| Taxa de dados | up to 2666 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Tensão de alimentação | 1.2 V (VDD) | 1.2 V |
| Interface | DDR4 (JEDEC standard) | — |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| Encapsulamento | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (TFBGA) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] | 0C to +95C |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] | — |
| Generation | C-die family (NCJR) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Terminal Pitch | — | 0.8 mm |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Refresh | — | Auto/Self refresh |