H5AN8G8NCJR-RDC vs K4A8G085WC-BCRC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5AN8G8NCJR-RDC от SK hynix и K4A8G085WC-BCRC от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | H5AN8G8NCJR-RDC | K4A8G085WC-BCRC |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | DRAM |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,70 | $4,30 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb (1 GB) | 8 Gbit |
| Организация памяти | x8 | 1G x 8 |
| Скорость передачи данных | up to 2666 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Напряжение питания | 1.2 V (VDD) | 1.2 V |
| Интерфейс | DDR4 (JEDEC standard) | — |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| Корпус | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (TFBGA) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] | 0C to +95C |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] | — |
| Generation | C-die family (NCJR) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Без галогенов | Yes | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Terminal Pitch | — | 0.8 mm |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Refresh | — | Auto/Self refresh |