H5AN8G8NCJR-RDC vs K4A8G085WC-BCRC 比較
詳細な並列比較: H5AN8G8NCJR-RDC メーカー: SK hynix および K4A8G085WC-BCRC メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | H5AN8G8NCJR-RDC | K4A8G085WC-BCRC |
|---|---|---|
| ブランド | SK hynix | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | DRAM |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.70 | $4.30 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb (1 GB) | 8 Gbit |
| メモリ構成 | x8 | 1G x 8 |
| データレート | up to 2666 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| 電源電圧 | 1.2 V (VDD) | 1.2 V |
| インターフェース | DDR4 (JEDEC standard) | — |
| Bank Architecture | 4 bank groups x 4 banks | — |
| Burst Length | BL8 | — |
| パッケージ | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (TFBGA) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度 | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] | 0C to +95C |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] | — |
| Generation | C-die family (NCJR) | — |
| Lead Free | Yes | — |
| ハロゲンフリー | Yes | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Terminal Pitch | — | 0.8 mm |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Refresh | — | Auto/Self refresh |