IS43TR16256AL-107MBL vs K4B4G1646E-BYMATCV Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von IS43TR16256AL-107MBL von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc und K4B4G1646E-BYMATCV von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBL ✓ AktivSamsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | IS43TR16256AL-107MBL | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| Marke | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,00 | $5,90 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 4 Gbit | 4 Gbit (256M x 16) |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | — |
| Versorgungsspannung | 1.35 V | 1.35 V |
| Datenrate | 1866 MT/s | 1866 Mbps |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| CAS-Latenz | 13 | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Gehäuse | 96-TWBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C (case) | — |
| Montageart | Surface Mount | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Anzahl der Pins | — | 96 |
| Betriebstemperaturbereich | — | -40°C to +95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |