IS43TR16256AL-107MBL vs K4B4G1646E-BYMATCV Comparación
Comparación detallada lado a lado de IS43TR16256AL-107MBL por ISSI, Integrated Silicon Solution Inc y K4B4G1646E-BYMATCV por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBL ✓ ActivoSamsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | IS43TR16256AL-107MBL | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| Marca | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,00 | $5,90 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4 Gbit | 4 Gbit (256M x 16) |
| Organización de memoria | 256M x 16 | — |
| Tensión de alimentación | 1.35 V | 1.35 V |
| Velocidad de datos | 1866 MT/s | 1866 Mbps |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Latencia CAS | 13 | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| Interfaz | Parallel | — |
| Encapsulado | 96-TWBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C (case) | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Número de pines | — | 96 |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -40°C to +95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |