IS43TR16256AL-107MBL vs K4B4G1646E-BYMATCV Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IS43TR16256AL-107MBL par ISSI, Integrated Silicon Solution Inc et K4B4G1646E-BYMATCV par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBL ✓ ActifSamsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IS43TR16256AL-107MBL | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| Marque | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,00 | $5,90 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gbit | 4 Gbit (256M x 16) |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | — |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | 1.35 V |
| Débit de données | 1866 MT/s | 1866 Mbps |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Latence CAS | 13 | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| Interface | Parallel | — |
| Boîtier | 96-TWBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C (case) | — |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Nombre de broches | — | 96 |
| Plage de température de fonctionnement | — | -40°C to +95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |