IS43TR16256AL-107MBL vs K4B4G1646E-BYMATCV Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IS43TR16256AL-107MBL por ISSI, Integrated Silicon Solution Inc e K4B4G1646E-BYMATCV por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBL ✓ AtivoSamsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | IS43TR16256AL-107MBL | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| Marca | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $6,00 | $5,90 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamanho da memória | 4 Gbit | 4 Gbit (256M x 16) |
| Organização da memória | 256M x 16 | — |
| Tensão de alimentação | 1.35 V | 1.35 V |
| Taxa de dados | 1866 MT/s | 1866 Mbps |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Latência CAS | 13 | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| Interface | Parallel | — |
| Encapsulamento | 96-TWBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA |
| Temperatura de operação | 0°C to +95°C (case) | — |
| Tipo de montagem | Surface Mount | — |
| Status RoHS | Compliant | Compliant |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Número de pinos | — | 96 |
| Faixa de temperatura de operação | — | -40°C to +95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |