IS43TR16256AL-107MBL vs K4B4G1646E-BYMATCV Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IS43TR16256AL-107MBL от ISSI, Integrated Silicon Solution Inc и K4B4G1646E-BYMATCV от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBL ✓ АктивенSamsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IS43TR16256AL-107MBL | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| Бренд | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $6,00 | $5,90 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Размер памяти | 4 Gbit | 4 Gbit (256M x 16) |
| Организация памяти | 256M x 16 | — |
| Напряжение питания | 1.35 V | 1.35 V |
| Скорость передачи данных | 1866 MT/s | 1866 Mbps |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Задержка CAS | 13 | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Корпус | 96-TWBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA |
| Рабочая температура | 0°C to +95°C (case) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Количество выводов | — | 96 |
| Диапазон рабочих температур | — | -40°C to +95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |