IS43TR16256AL-107MBL vs K4B4G1646E-BYMATCV 비교
다음의 상세 나란히 비교: IS43TR16256AL-107MBL 제조: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 및 K4B4G1646E-BYMATCV 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBL ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | IS43TR16256AL-107MBL | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| 브랜드 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.00 | $5.90 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gbit | 4 Gbit (256M x 16) |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | — |
| 공급 전압 | 1.35 V | 1.35 V |
| 데이터 속도 | 1866 MT/s | 1866 Mbps |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| CAS 레이턴시 | 13 | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| 패키지 | 96-TWBGA (9x13 mm) | 96-ball FBGA |
| 동작 온도 | 0°C to +95°C (case) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| 핀 수 | — | 96 |
| 동작 온도 범위 | — | -40°C to +95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |