ISC028N03LF2SATMA1 vs BSC340N08NS3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC028N03LF2SATMA1 tarafından Infineon ve BSC340N08NS3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC028N03LF2SATMA1 BSC340N08NS3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 30V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 128 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 92 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.35 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Power Dissipation at TA 3 W —
Power Dissipation at TC 83 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55 C to +175 C —
Paket PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS / Lead-Free Yes (RoHS compliant) RoHS compliant, lead-free
MSL Seviyesi 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
Part Number — BSC340N08NS3GATMA1
Technology — OptiMOS 3 (N-Channel Trench)
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 23 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 7 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 34 mOhm
Gate-Source Voltage VGS max — +/- 20 V
Power Dissipation (Tc) — 32 W
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C
Channel Type — Single N-Channel
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Avalanche Rating — Repetitive avalanche rated

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin