IXDD609SI vs IXDN609YI Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IXDD609SI von IXYS und IXDN609YI von IXYS. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IXDD609SI IXDN609YI
Marke IXYS IXYS
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,15 $1,15
Configuration Low-Side Low-Side
Anzahl der Ausgänge 1 —
Peak Source/Sink Current 9 A —
Supply Voltage Range 4.5 V to 35 V 4.5 V to 35 V
Logic Input Voltage Range -5 V to VCC —
Input Type CMOS-compatible, non-inverting with enable —
Propagation Delay 40 ns (typical) 40 ns (typ)
Anstiegszeit <25 ns (with 1 nF load) < 25 ns
Abfallzeit <25 ns (with 1 nF load) < 25 ns
Output Stage Matched propagation delays, cross-conduction protected —
Betriebstemperaturbereich -40 C to +125 C (extended) -40 °C to +125 °C
Gehäuse 8-SOIC-EP (Power SOIC with exposed pad) TO-263-5 (D2PAK), 5 leads + tab
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 —
Latch-up Immunity Yes (proprietary input structure) —
Peak Output Current (Source/Sink) — 9 A
Input Logic Compatibility — CMOS, non-inverting
Logic Input Negative Swing Tolerance — -5 V
Latchup Immunity — Yes (proprietary CMOS input stage)
Cross-Conduction Protection — Yes
Matched Rise/Fall Times — Yes
MSL-Level — Level 3
RoHS-Status — Compliant

Datenblätter & Ressourcen

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