IXDD609SI vs IXDN609YI तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IXDD609SI द्वारा IXYS और IXDN609YI द्वारा IXYS. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

विशेषता तुलना

पैरामीटर IXDD609SI IXDN609YI
ब्रांड IXYS IXYS
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Configuration Low-Side Low-Side
आउटपुट की संख्या 1 —
Peak Source/Sink Current 9 A —
Supply Voltage Range 4.5 V to 35 V 4.5 V to 35 V
Logic Input Voltage Range -5 V to VCC —
Input Type CMOS-compatible, non-inverting with enable —
Propagation Delay 40 ns (typical) 40 ns (typ)
राइज़ टाइम <25 ns (with 1 nF load) < 25 ns
फॉल टाइम <25 ns (with 1 nF load) < 25 ns
Output Stage Matched propagation delays, cross-conduction protected —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40 C to +125 C (extended) -40 °C to +125 °C
पैकेज 8-SOIC-EP (Power SOIC with exposed pad) TO-263-5 (D2PAK), 5 leads + tab
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 —
Latch-up Immunity Yes (proprietary input structure) —
Peak Output Current (Source/Sink) — 9 A
Input Logic Compatibility — CMOS, non-inverting
Logic Input Negative Swing Tolerance — -5 V
Latchup Immunity — Yes (proprietary CMOS input stage)
Cross-Conduction Protection — Yes
Matched Rise/Fall Times — Yes
MSL स्तर — Level 3
RoHS स्थिति — Compliant

डेटाशीट और संसाधन

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