IXDD609SI vs IXDN609YI השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IXDD609SI מאת IXYS ו IXDN609YI מאת IXYS. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IXDD609SI IXDN609YI
מותג IXYS IXYS
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Configuration Low-Side Low-Side
מספר יציאות 1 —
Peak Source/Sink Current 9 A —
Supply Voltage Range 4.5 V to 35 V 4.5 V to 35 V
Logic Input Voltage Range -5 V to VCC —
Input Type CMOS-compatible, non-inverting with enable —
Propagation Delay 40 ns (typical) 40 ns (typ)
זמן עלייה <25 ns (with 1 nF load) < 25 ns
זמן ירידה <25 ns (with 1 nF load) < 25 ns
Output Stage Matched propagation delays, cross-conduction protected —
טווח טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C (extended) -40 °C to +125 °C
מארז 8-SOIC-EP (Power SOIC with exposed pad) TO-263-5 (D2PAK), 5 leads + tab
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 —
Latch-up Immunity Yes (proprietary input structure) —
Peak Output Current (Source/Sink) — 9 A
Input Logic Compatibility — CMOS, non-inverting
Logic Input Negative Swing Tolerance — -5 V
Latchup Immunity — Yes (proprietary CMOS input stage)
Cross-Conduction Protection — Yes
Matched Rise/Fall Times — Yes
רמת MSL — Level 3
סטטוס RoHS — Compliant

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר