IXDD609SI vs IXDN609YI Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IXDD609SI от IXYS и IXDN609YI от IXYS. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Сравнение характеристик

Параметр IXDD609SI IXDN609YI
Бренд IXYS IXYS
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,15 $1,15
Configuration Low-Side Low-Side
Количество выходов 1 —
Peak Source/Sink Current 9 A —
Supply Voltage Range 4.5 V to 35 V 4.5 V to 35 V
Logic Input Voltage Range -5 V to VCC —
Input Type CMOS-compatible, non-inverting with enable —
Propagation Delay 40 ns (typical) 40 ns (typ)
Время нарастания <25 ns (with 1 nF load) < 25 ns
Время спада <25 ns (with 1 nF load) < 25 ns
Output Stage Matched propagation delays, cross-conduction protected —
Диапазон рабочих температур -40 C to +125 C (extended) -40 °C to +125 °C
Корпус 8-SOIC-EP (Power SOIC with exposed pad) TO-263-5 (D2PAK), 5 leads + tab
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 —
Latch-up Immunity Yes (proprietary input structure) —
Peak Output Current (Source/Sink) — 9 A
Input Logic Compatibility — CMOS, non-inverting
Logic Input Negative Swing Tolerance — -5 V
Latchup Immunity — Yes (proprietary CMOS input stage)
Cross-Conduction Protection — Yes
Matched Rise/Fall Times — Yes
Уровень MSL — Level 3
Статус RoHS — Compliant

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену