IXDD609SI vs IXDN609YI 비교

다음의 상세 나란히 비교: IXDD609SI 제조: IXYS 및 IXDN609YI 제조: IXYS. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IXDD609SI IXDN609YI
브랜드 IXYS IXYS
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.15 $1.15
Configuration Low-Side Low-Side
출력 수 1 —
Peak Source/Sink Current 9 A —
Supply Voltage Range 4.5 V to 35 V 4.5 V to 35 V
Logic Input Voltage Range -5 V to VCC —
Input Type CMOS-compatible, non-inverting with enable —
Propagation Delay 40 ns (typical) 40 ns (typ)
상승 시간 <25 ns (with 1 nF load) < 25 ns
하강 시간 <25 ns (with 1 nF load) < 25 ns
Output Stage Matched propagation delays, cross-conduction protected —
동작 온도 범위 -40 C to +125 C (extended) -40 °C to +125 °C
패키지 8-SOIC-EP (Power SOIC with exposed pad) TO-263-5 (D2PAK), 5 leads + tab
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 —
Latch-up Immunity Yes (proprietary input structure) —
Peak Output Current (Source/Sink) — 9 A
Input Logic Compatibility — CMOS, non-inverting
Logic Input Negative Swing Tolerance — -5 V
Latchup Immunity — Yes (proprietary CMOS input stage)
Cross-Conduction Protection — Yes
Matched Rise/Fall Times — Yes
MSL 레벨 — Level 3
RoHS 상태 — Compliant

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