IXDD609SI vs IXDN609YI Comparación

Comparación detallada lado a lado de IXDD609SI por IXYS y IXDN609YI por IXYS. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IXDD609SI IXDN609YI
Marca IXYS IXYS
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,15 $1,15
Configuration Low-Side Low-Side
Número de salidas 1 —
Peak Source/Sink Current 9 A —
Supply Voltage Range 4.5 V to 35 V 4.5 V to 35 V
Logic Input Voltage Range -5 V to VCC —
Input Type CMOS-compatible, non-inverting with enable —
Propagation Delay 40 ns (typical) 40 ns (typ)
Tiempo de subida <25 ns (with 1 nF load) < 25 ns
Tiempo de bajada <25 ns (with 1 nF load) < 25 ns
Output Stage Matched propagation delays, cross-conduction protected —
Rango de temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C (extended) -40 °C to +125 °C
Encapsulado 8-SOIC-EP (Power SOIC with exposed pad) TO-263-5 (D2PAK), 5 leads + tab
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 —
Latch-up Immunity Yes (proprietary input structure) —
Peak Output Current (Source/Sink) — 9 A
Input Logic Compatibility — CMOS, non-inverting
Logic Input Negative Swing Tolerance — -5 V
Latchup Immunity — Yes (proprietary CMOS input stage)
Cross-Conduction Protection — Yes
Matched Rise/Fall Times — Yes
Nivel MSL — Level 3
Estado RoHS — Compliant

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