K4A8G085WB-BICH vs K4A8G045WB Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G085WB-BICH von Samsung Electronics und K4A8G045WB von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G085WB-BICH | K4A8G045WB |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $4,96 | $9,27 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (B-die) |
| Density | 8Gb | 8 Gb |
| Speicherorganisation | 1G x 8 | 2G x 4 |
| Versorgungsspannung | 1.2V | 1.2 V |
| Datenrate | 2400 Mbps (DDR4-2400) | 2133 Mbps |
| Gehäuse | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Betriebstemperatur | 0°C to 85°C | 0 C to +85 C |
| Max Supply Current | 170mA | 211.7 mA |
| Burst Length | BL8, BL16 | — |
| CAS-Latenz | Programmable | — |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Data Bus Inversion | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Die Revision | B-die | — |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Clocking | — | Differential clock (CK / CK#) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT pin) |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Posted CAS | — | Yes |
| Programmable CWL | — | Yes |
| Internal (Self) Calibration | — | Yes |
| RoHS-Status | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |