K4A8G085WB-BICH vs K4A8G045WB Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WB-BICH par Samsung Electronics et K4A8G045WB par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICH K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH ✓ Actif
Samsung Electronics
K4A8G045WB K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4A8G085WB-BICH K4A8G045WB
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,96 $9,27
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (B-die)
Density 8Gb 8 Gb
Organisation de la mémoire 1G x 8 2G x 4
Tension d'alimentation 1.2V 1.2 V
Débit de données 2400 Mbps (DDR4-2400) 2133 Mbps
Boîtier 78-ball FBGA 78-ball FBGA
Température de fonctionnement 0°C to 85°C 0 C to +85 C
Max Supply Current 170mA 211.7 mA
Burst Length BL8, BL16 —
Latence CAS Programmable —
On-Die ECC Yes —
Data Bus Inversion Yes —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Die Revision B-die —
Refresh Cycles — 8192
Type de montage — Surface Mount
Number of Terminals — 78
Clocking — Differential clock (CK / CK#)
On-Die Termination — Yes (ODT pin)
Asynchronous Reset — Yes
Posted CAS — Yes
Programmable CWL — Yes
Internal (Self) Calibration — Yes
Statut RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]

Fiches techniques et ressources

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