K4A8G085WB-BICH vs K4A8G045WB 비교

다음의 상세 나란히 비교: K4A8G085WB-BICH 제조: Samsung Electronics 및 K4A8G045WB 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICH K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH ✓ 활성
Samsung Electronics
K4A8G045WB K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB ✓ 활성

사양 비교

파라미터 K4A8G085WB-BICH K4A8G045WB
브랜드 Samsung Electronics Samsung Electronics
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $4.96 $9.27
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (B-die)
Density 8Gb 8 Gb
메모리 구성 1G x 8 2G x 4
공급 전압 1.2V 1.2 V
데이터 속도 2400 Mbps (DDR4-2400) 2133 Mbps
패키지 78-ball FBGA 78-ball FBGA
동작 온도 0°C to 85°C 0 C to +85 C
Max Supply Current 170mA 211.7 mA
Burst Length BL8, BL16 —
CAS 레이턴시 Programmable —
On-Die ECC Yes —
Data Bus Inversion Yes —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Die Revision B-die —
Refresh Cycles — 8192
실장 유형 — Surface Mount
Number of Terminals — 78
Clocking — Differential clock (CK / CK#)
On-Die Termination — Yes (ODT pin)
Asynchronous Reset — Yes
Posted CAS — Yes
Programmable CWL — Yes
Internal (Self) Calibration — Yes
RoHS 상태 — [DATA_NEEDED: RoHS status]

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