K4A8G085WB-BICH vs K4A8G045WB Comparación

Comparación detallada lado a lado de K4A8G085WB-BICH por Samsung Electronics y K4A8G045WB por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICH K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH ✓ Activo
Samsung Electronics
K4A8G045WB K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K4A8G085WB-BICH K4A8G045WB
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $4,96 $9,27
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (B-die)
Density 8Gb 8 Gb
Organización de memoria 1G x 8 2G x 4
Tensión de alimentación 1.2V 1.2 V
Velocidad de datos 2400 Mbps (DDR4-2400) 2133 Mbps
Encapsulado 78-ball FBGA 78-ball FBGA
Temperatura de funcionamiento 0°C to 85°C 0 C to +85 C
Max Supply Current 170mA 211.7 mA
Burst Length BL8, BL16 —
Latencia CAS Programmable —
On-Die ECC Yes —
Data Bus Inversion Yes —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Die Revision B-die —
Refresh Cycles — 8192
Tipo de montaje — Surface Mount
Number of Terminals — 78
Clocking — Differential clock (CK / CK#)
On-Die Termination — Yes (ODT pin)
Asynchronous Reset — Yes
Posted CAS — Yes
Programmable CWL — Yes
Internal (Self) Calibration — Yes
Estado RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]

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