K4A8G085WB-BICH vs K4A8G045WB 对比

详细并排对比 K4A8G085WB-BICH 出自 Samsung Electronics 和 K4A8G045WB 出自 Samsung Electronics。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICH K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH ✓ 量产中
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K4A8G045WB K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB ✓ 量产中

规格对比

参数 K4A8G085WB-BICH K4A8G045WB
品牌 Samsung Electronics Samsung Electronics
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $4.96 $9.27
存储器类型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (B-die)
Density 8Gb 8 Gb
存储组织 1G x 8 2G x 4
电源电压 1.2V 1.2 V
数据速率 2400 Mbps (DDR4-2400) 2133 Mbps
封装 78-ball FBGA 78-ball FBGA
工作温度 0°C to 85°C 0 C to +85 C
Max Supply Current 170mA 211.7 mA
Burst Length BL8, BL16 —
CAS 延迟 Programmable —
On-Die ECC Yes —
Data Bus Inversion Yes —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Die Revision B-die —
Refresh Cycles — 8192
安装类型 — Surface Mount
Number of Terminals — 78
Clocking — Differential clock (CK / CK#)
On-Die Termination — Yes (ODT pin)
Asynchronous Reset — Yes
Posted CAS — Yes
Programmable CWL — Yes
Internal (Self) Calibration — Yes
RoHS 状态 — [DATA_NEEDED: RoHS status]

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