K4A8G085WB-BICH vs K4A8G045WB Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4A8G085WB-BICH por Samsung Electronics e K4A8G045WB por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4A8G085WB-BICH K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4A8G045WB K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro K4A8G085WB-BICH K4A8G045WB
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $4,96 $9,27
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (B-die)
Density 8Gb 8 Gb
Organização da memória 1G x 8 2G x 4
Tensão de alimentação 1.2V 1.2 V
Taxa de dados 2400 Mbps (DDR4-2400) 2133 Mbps
Encapsulamento 78-ball FBGA 78-ball FBGA
Temperatura de operação 0°C to 85°C 0 C to +85 C
Max Supply Current 170mA 211.7 mA
Burst Length BL8, BL16 —
Latência CAS Programmable —
On-Die ECC Yes —
Data Bus Inversion Yes —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Die Revision B-die —
Refresh Cycles — 8192
Tipo de montagem — Surface Mount
Number of Terminals — 78
Clocking — Differential clock (CK / CK#)
On-Die Termination — Yes (ODT pin)
Asynchronous Reset — Yes
Posted CAS — Yes
Programmable CWL — Yes
Internal (Self) Calibration — Yes
Status RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]

Fichas técnicas e recursos

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