K4A8G085WB-BICH vs K4A8G045WB 比較

詳細な並列比較: K4A8G085WB-BICH メーカー: Samsung Electronics および K4A8G045WB メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4A8G085WB-BICH K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB-BICH ✓ 生産中
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K4A8G045WB K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB - 8Gb DDR4 SDRAM 2Gx4 2133Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G045WB ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A8G085WB-BICH K4A8G045WB
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $4.96 $9.27
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (B-die)
Density 8Gb 8 Gb
メモリ構成 1G x 8 2G x 4
電源電圧 1.2V 1.2 V
データレート 2400 Mbps (DDR4-2400) 2133 Mbps
パッケージ 78-ball FBGA 78-ball FBGA
動作温度 0°C to 85°C 0 C to +85 C
Max Supply Current 170mA 211.7 mA
Burst Length BL8, BL16 —
CASレイテンシ Programmable —
On-Die ECC Yes —
Data Bus Inversion Yes —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Die Revision B-die —
Refresh Cycles — 8192
実装タイプ — Surface Mount
Number of Terminals — 78
Clocking — Differential clock (CK / CK#)
On-Die Termination — Yes (ODT pin)
Asynchronous Reset — Yes
Posted CAS — Yes
Programmable CWL — Yes
Internal (Self) Calibration — Yes
RoHS ステータス — [DATA_NEEDED: RoHS status]

データシート&リソース

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