K4A8G165WB-BIRC vs H5TC4G63AFR-PBA Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G165WB-BIRC von Samsung Electronics und H5TC4G63AFR-PBA von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung | 2400 Mbps
K4A8G165WB-BIRC ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G165WB-BIRC | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $39,50 | $3,98 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 4Gb |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 256M x 16 |
| Datenrate | 2400 Mbps | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | — |
| Betriebstemperaturbereich | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C (Tcase) |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Schnittstelle | 16-bit | 16-bit I/O |
| DLL Enabled Mode | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | Yes |
| Burst Length | 8, 16 | 8 and 4 (with burst chop) |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| Bank Count | 16 banks | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |