K4A8G165WB-BIRC vs H5TC4G63AFR-PBA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WB-BIRC par Samsung Electronics et H5TC4G63AFR-PBA par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung | 2400 Mbps
K4A8G165WB-BIRC ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G165WB-BIRC | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $39,50 | $3,98 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 4Gb |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 256M x 16 |
| Débit de données | 2400 Mbps | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C (Tcase) |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Interface | 16-bit | 16-bit I/O |
| DLL Enabled Mode | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | Yes |
| Burst Length | 8, 16 | 8 and 4 (with burst chop) |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| Bank Count | 16 banks | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |