K4A8G165WB-BIRC vs H5TC4G63AFR-PBA Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G165WB-BIRC por Samsung Electronics y H5TC4G63AFR-PBA por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung | 2400 Mbps
K4A8G165WB-BIRC ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G165WB-BIRC | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $39,50 | $3,98 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 4Gb |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 256M x 16 |
| Velocidad de datos | 2400 Mbps | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C (Tcase) |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Interfaz | 16-bit | 16-bit I/O |
| DLL Enabled Mode | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | Yes |
| Burst Length | 8, 16 | 8 and 4 (with burst chop) |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| Bank Count | 16 banks | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |