K4A8G165WB-BIRC vs H5TC4G63AFR-PBA Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G165WB-BIRC por Samsung Electronics e H5TC4G63AFR-PBA por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung | 2400 Mbps
K4A8G165WB-BIRC ✓ Ativo
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G165WB-BIRC | H5TC4G63AFR-PBA |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $39,50 | $3,98 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 4Gb |
| Organização da memória | 512M x 16 | 256M x 16 |
| Taxa de dados | 2400 Mbps | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | — |
| Faixa de temperatura de operação | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C (Tcase) |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Interface | 16-bit | 16-bit I/O |
| DLL Enabled Mode | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | Yes |
| Burst Length | 8, 16 | 8 and 4 (with burst chop) |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| Bank Count | 16 banks | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| CAS Latency (CL) | — | 11, 12, 13 |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Partial Array Self-Refresh | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |