K4A8G165WB-BIRC vs MT41K256M16HA-125 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G165WB-BIRC von Samsung Electronics und MT41K256M16HA-125 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung | 2400 Mbps
K4A8G165WB-BIRC ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G165WB-BIRC | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $39,50 | $6,36 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 8 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | — |
| Datenrate | 2400 Mbps | — |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.35 V |
| Betriebstemperaturbereich | -40°C to +95°C | — |
| Gehäuse | 96-ball FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Schnittstelle | 16-bit | — |
| DLL Enabled Mode | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Burst Length | 8, 16 | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| Bank Count | 16 banks | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Speichergröße | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Datenbusbreite | — | 16 bit |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Anzahl der Pins | — | 96 |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |
| CAS-Latenz | — | 11 |