K4A8G165WB-BIRC vs MT41K256M16HA-125 Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G165WB-BIRC por Samsung Electronics y MT41K256M16HA-125 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung | 2400 Mbps
K4A8G165WB-BIRC ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G165WB-BIRC | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $39,50 | $6,36 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 8 Gbit | — |
| Organización de memoria | 512M x 16 | — |
| Velocidad de datos | 2400 Mbps | — |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.35 V |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | — |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Interfaz | 16-bit | — |
| DLL Enabled Mode | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Burst Length | 8, 16 | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| Bank Count | 16 banks | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Tamaño de memoria | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Ancho del bus de datos | — | 16 bit |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Número de pines | — | 96 |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |
| Latencia CAS | — | 11 |