K4A8G165WB-BIRC vs MT41K256M16HA-125 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WB-BIRC par Samsung Electronics et MT41K256M16HA-125 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung | 2400 Mbps
K4A8G165WB-BIRC ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G165WB-BIRC | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $39,50 | $6,36 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 8 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | — |
| Débit de données | 2400 Mbps | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.35 V |
| Plage de température de fonctionnement | -40°C to +95°C | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Interface | 16-bit | — |
| DLL Enabled Mode | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Burst Length | 8, 16 | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| Bank Count | 16 banks | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Taille de mémoire | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Largeur du bus de données | — | 16 bit |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Nombre de broches | — | 96 |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |
| Latence CAS | — | 11 |