K4A8G165WB-BIRC vs MT41K256M16HA-125 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G165WB-BIRC от Samsung Electronics и MT41K256M16HA-125 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 | Samsung | 2400 Mbps
K4A8G165WB-BIRC ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | K4A8G165WB-BIRC | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $39,50 | $6,36 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 8 Gbit | — |
| Организация памяти | 512M x 16 | — |
| Скорость передачи данных | 2400 Mbps | — |
| Напряжение питания | 1.2 V | 1.35 V |
| Диапазон рабочих температур | -40°C to +95°C | — |
| Корпус | 96-ball FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Интерфейс | 16-bit | — |
| DLL Enabled Mode | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Burst Length | 8, 16 | — |
| Row Address | 16 bits | — |
| Column Address | 10 bits | — |
| Bank Count | 16 banks | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Размер памяти | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Разрядность шины данных | — | 16 bit |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Количество выводов | — | 96 |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |
| Рабочая температура | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |
| Задержка CAS | — | 11 |